🔥最新游戏博彩在线平台-最新娱乐游戏赌博平台-赌博游戏娱乐平台-网络最新赌博游戏平台-武汉泓承科技有限公司
武汉泓承科技有限公司
客服热线:027-86774565/87751017转802  设为首页 | 加入收藏
新闻资讯 / News
行业动态您当前位置:首页 > 新闻资讯 > 行业动态

最新游戏博彩在线平台

新闻来源:中国电源学会 发布时间:2018/6/2  浏览次数:1261
    Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出40V额定值的动态OR'ing控制器ZXGD3108N8,以提升电信系统、数据中心及服务器不间断电源的可靠性。新产品旨在全面改善超低导通电阻功率MOSFET,从而替代耗能的肖特基 (Schottky) 阻断二极管,有效降低工作温度并加强不间断电源系统的完整性。
    新控制器通过以这种方式驱动MOSFET,同时提升标准12V和24V共轨系统的整体系统效率。与其它同类型器件相比,ZXGD3108N8提供最低的关断电压阈值。器件的电压少于-3mV,加上±2mV的紧密容差,可在轻载的情况下改善系统的稳定性及提高效率。
    此外,这款控制器可灌入5A的电流,确保并联OR'ing MOSFET能够尽快放电,并且做到600ns的快速关断时间,以防止反向电流及在共轨系统上的电压降。在典型的12V配置内,器件的静态电流设定为400A以下,待机功耗则少于5mW。

版权所有 武汉泓承科技有限公司   鄂ICP备14017688号-1  技术支持: 武汉网福
公司地址:武汉市东湖新技术开发区大学园路25号南华工业园泓承科技  联系电话:027-86774565/87751017转802

🔥最新游戏博彩在线平台-最新娱乐游戏赌博平台-赌博游戏娱乐平台-网络最新赌博游戏平台-武汉泓承科技有限公司

      <kbd id='IQ2QSp5tQ'></kbd><address id='IQ2QSp5tQ'><style id='IQ2QSp5tQ'></style></address><button id='IQ2QSp5tQ'></button>

              <kbd id='IQ2QSp5tQ'></kbd><address id='IQ2QSp5tQ'><style id='IQ2QSp5tQ'></style></address><button id='IQ2QSp5tQ'></button>